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采用IGBT的三相逆變器有什么優(yōu)勢(shì)？
專欄：行業(yè)資訊
發(fā)布日期：2022-02-18
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IGBT三相逆變器技術(shù)具有高輸入阻抗和低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)。GTR的飽和電壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流大。MOSFET驅(qū)動(dòng)功率小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，電流密度小三相IGBT逆變技術(shù)結(jié)合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)了低驅(qū)動(dòng)功率和低飽和電壓。
三相逆變器為何廣泛采用IGBT逆變技術(shù)？IGBT三相逆變器技術(shù)具有高輸入阻抗和低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)。GTR的飽和電壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流大。MOSFET驅(qū)動(dòng)功率小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，電流密度小。三相IGBT逆變技術(shù)結(jié)合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)了低驅(qū)動(dòng)功率和低飽和電壓。在三相逆變器中，需要一個(gè)能抗高壓，又能滿足高速輸出的控制器，三相IGBT逆變技術(shù)正好可以滿足三相逆變器的要求。
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